kundenspezifisches Gan-Filmsubstrat Zinkoxid Zno Einkristallsubstrat

ZNO-Material ist eine Art Halbleitermaterial mit direkter Bandlücke und großer Lücke
  • Art.-Nr:

    GS-C007
  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Produktursprung:

    Anhui, China
  • maximale Größe:

    25*25mm
  • Orientierung:

    <0001>、<1-100>、<11-20>
  • Paket:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Produktdetail

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

ZNO-Material ist eine Art Halbleitermaterial mit direkter Bandlücke und großer Lücke., es ist eine Art multifunktionaler Kristall mit Lumineszenz, elektrooptischer, Szintillation, Halbleiter und anderen Eigenschaften. es ist ein ausgezeichnetes Substrat Material für zno, gan Epitaxiefilme und Geräte. es hat ein großes Entwicklungspotenzial für kurzwellige Licht emittierende Geräte, wie LEDs und LDS, und ist zu einem weiteren Forschungsschwerpunkt auf dem Gebiet der Breitbandhalbleiter geworden nach Gan.

Reinheit Gew.-%

Verunreinigung: Gew.-%

> 99.99
mg: <.0005 al: < .0030 si: 0.0030 ti: .0010 cu: < .0030 fe: < 0.005 ca: <.0005 ag : < .0002

Kristallstruktur

hexagonal: au003d 3.252 Å, c u003d 5.313 Å

Wachstumsmethode

hydrothermal

Härte

4-Moh-Skala

Dichte

5.7g/cm3

Schmelzpunkt

1975 vz

spezifische Wärme

0.125 cal/g

Thermoelektrische Konstante

1200 mv/ok bei 300 oc

Wärmeleitfähigkeit

0.006 cal/cm/ok

Wärmeausdehnung

2.90 x 10-6/ok

Übertragungsreichweite

0.4 - 0.6 m > 50 % bei 2 mm

Versetzungsdichte

<0001> Ebene <100 / cm2

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