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SrTiO3-Perowskit-Kristallstruktur mit einer Vielzahl von Materialien mit guter Gitteranpassung, bei denen es sich um eine Vielzahl von Hochtemperatur-Supraleiteroxid-Dünnfilmen und die Qualität des Substratmaterials handelt, die jedoch auch häufig in speziellen optischen Fenstern und Sputter-Targets höchster Qualität verwendet werden. Das Unternehmen HB hat eine unabhängige Reihe von Produktionslinien, von hochwertigem SrTiO3-Pulver, SrTiO3-Einkristall poliert bis hin zu epitaktischen Substraten verschiedener Größen für hochwertige, kostengünstige globale Anbieter von monokristallinen und SrTiO3-Substraten. Hauptfähigkeitsparameter KristallstrukturM6 Wachstumsmethode Blaze-Methode Einheitszellenkonstante a=3.905Å Schmelzpunkt(℃) 2080 Dichte(g/cm3) 5.122(g/cm3) Härte 6-6,5 (Mohs) Wärmeausdehnung(/℃) 9,4×10-6 Dielektrizitätskonstanten =5.20 Chemische Stabilität Unlöslich in Wasser Tangentialer Verlust ~5×10-4(300k) ~3×10-4(77k) Größe 10×3m、10×5m、10×10mm、15×15mm、20×15mm Sondergröße und Ausrichtung sind auf Anfrage erhältlich Dicke 0.5mm、1.0mm Größentoleranzen
Kalium Tantalate (KTAO3, KT für kurz) Einkristall hat eine stabile Kubikstruktur und kann verwendet werden, um Lasermodulatoren, digitale Deflektoren und Halbleitervorrichtungen herzustellen.
yttrium dotierte Zirkonia muss als Stabilisator hinzugefügt werden, mit einer gemeinsamen Konzentration von 13 Mol-%, YSZ hat die Eigenschaften der guten mechanischen und chemischen Stabilität und niedrigen Kosten
Die Gitterfehlanpassungsrate zwischen Lithiumaluminat-Einkristall und Galliumnitrid ist sehr klein (1,4% für Lithiumaluminat), was es zu einem hochwertigen Substrat für Galliumnitrid-Dünnschichten macht.
Ein SiC-Einkristall hat viele ausgezeichnete Eigenschaften, wie eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Sättigungselektronenmobilität und eine starke Beständigkeit gegen Spannungsdurchschlag.Es eignet sich zur Vorbereitung von Hochfrequenz-, Hochleistungs-, Hochtemperatur- und strahlungsbeständigen elektronischen Geräten.
InAs-Einkristallsubstrate können InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb und andere Heteroübergangsmaterialien wachsen lassen, um Infrarotlicht emittierende Vorrichtungen mit Wellenlängen von 2-14 µm herzustellen.