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Semiconductor crystal

Hersteller von Galliumnitrid-Gan-Einkristallsubstraten aus China

GaN CRYSTAL
GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL GaN CRYSTAL

Hersteller von Galliumnitrid-Gan-Einkristallsubstraten aus China

Das Substrat von HVPE ist: Homöepitaxie, Gan auf Gan
Homogenität: hohe Qualität, hohe Kosten, schwierige Technologie (Versetzung 103-106 / cm2)

  • Art.-Nr:

    GS-C012

  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Produktursprung:

    Anhui, China

  • maximale Größe:

    Dia100mm

  • Orientierung:

    <0001>、<10-10>

  • Paket:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
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  • Produktdetail

  • Spezifikation

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

Spezifikation für freistehende 2-Zoll-Gan-Wafer


Artikel

Spezifikation

Kristallspezifikation

Produktion (pgrade)

Forschung (rgrade)

Dummy (dgrade)

Kristalltyp

Einkristall

Orientierung

(0 0 0 1) Gesicht

c-Ebene Versatzwinkel zur Achse hin

0.5° ±0.15°

c-Ebene Off-Winkel zur Achse

0° ±0.15°

(002)FWHM

< 100 Bogensekunden

(102)fwhm

< 100 Bogensekunden

Gitterkrümmungsradius

> 10 m (gemessen bei 80 % xDurchmesser)




elektrische spezifikation

Dopingelemente

Widerstand bei Raumtemperatur (300k)

n-Typ (Silizium)

≤0.02Ohm-cm

Flüssigkeit

≤0.2Ohm-cm

halbisolierend (Kohlenstoff)

> 1e8ohm-cm

Formspezifikation

Hauptwohnungsorientierung

m-Ebene (10-10), ±2°(st),±2° (

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wir sind fabrik.
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