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InAs-Einkristallsubstrate können InAsSb/In-AsPSb, InNAsSb und andere Heteroübergangsmaterialien wachsen lassen, um Infrarotlicht emittierende Vorrichtungen mit Wellenlängen von 2-14 µm herzustellen.
Ein SiC-Einkristall hat viele ausgezeichnete Eigenschaften, wie eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Sättigungselektronenmobilität und eine starke Beständigkeit gegen Spannungsdurchschlag.Es eignet sich zur Vorbereitung von Hochfrequenz-, Hochleistungs-, Hochtemperatur- und strahlungsbeständigen elektronischen Geräten.
