Materialfabrik optischer Siliziumdioxid-Quarz SiO2-Einkristall-Substrathersteller aus China

SiO2-Einkristallwafer sind ein ausgezeichnetes Substrat für Mikrowellenfilter in der drahtlosen Kommunikationsindustrie.
  • Art.-Nr:

    GS-C046
  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Produktursprung:

    Anhui, China
  • maximale Größe:

    dia100mm
  • Orientierung:

  • Paket:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Produktdetail

  • Spezifikation

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

SiO2-Einkristallwafer sind ein ausgezeichnetes Substrat für Mikrowellenfilter in der drahtlosen Kommunikationsindustrie.
Hauptleistungsparameter
Wachstumsmethode
Hydrothermal
Kristallstruktur
Sechs Parteien
Gitterkonstante
a=4.914Å c=5.405 Å
Schmelzpunkt (℃)
1610°C (Phasenübergangspunkt: 573,1°C)
Dichte
2,684g/cm3
Härte
7 (mohs)
Heiße Schmelze
0,18 cal/gm
Wärmeleitfähigkeit
0,0033cal/cm℃
Thermoelektrische Konstante
1200uv/℃ (300℃)
Brechungsindex
1.544
Wärmeausdehnungskoeffizient
α11: 13,71×10 6 /℃ α33: 7,48×10 6 /℃
Q-Wert
1,8×10 6 Minuten
Schallgeschwindigkeit, Schallpegelmesser
3160 (m/s)
Frequenzkonstante
1661 (kHz/mm)
Piezoelektrische Kopplung
K2(%) BAW: 0,65 SAW: 0,14
Kristallorientierung
Y-, X- oder Z-Schnitt, Drehung um einen beliebigen Wert innerhalb von 30º ~ 42,75º ± 5 Minuten Bereich
Hauptorientierung: nach Kundenwunsch Richtung ± 30 min
-Zeitpositionierungsseite: nach Kundenwunsch Richtung
Samen: in der Mitte, die Breite <5mm, Höhe>66mm
Polierte Oberfläche
Epitaxiales Polieren: Einzelpolieren oder Doppelpolieren Ra<10Å
Arbeitsbereich: Substratdurchmesser -3mm
Krümmung: Φ3″<20um, Φ4″<30um
Arbeitsfläche ohne Aussplitterung, am Rand, Spanbreite <0,5mm
Gruben und Kratzer: Jedes Stück<3, alle 100 Stück<20
Standarddicke
0,5 mm ± 0,05 mm TTV < 5 um
Standarddurchmesser
2″(50,8mm), Φ3″(76,2mm), Φ4″(100mm)±0,2mm
Primäre Positionierungskante: 22±1,5 mm (Φ3″) 32±3,0 (Φ4″)
Sekundäre Positionierungskante: 10 mm ± 1,5 mm



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