Art.-Nr:
GS-L007Zahlung:
L/C、 Western Union、 D/P、 T/TProduktursprung:
Anhui, Chinamaximale Größe:
Dia100mmOrientierung:
<100>、<110>、<111>Paket:
100 clean bag，1000 exactly clean bagProduktdetail
Spezifikation
Prozessablauf
Verpackung
Transport
FAQ
Tm: YAP-Kristallname Thulium-dotierter Yttrium-Aluminat-Kristall, Tm: YAP-Kristall hat ein ideales Medium für eine Festkörperlaserquelle mit einer Wellenlänge von 2 Mikrometer und den Selbstlöschungsmechanismus der H4- und F4-Energieniveaus von Tm: YAP kann Zweiphotonen auf dem oberen Energieniveau erzeugen. Anregung, die den Laser möglicherweise zu einem effektiven Weg macht, um eine hohe Quanteneffizienz zu erzielen. Die Absorptionsbandspitze der H6- und H4-Energieniveaus des Tm:YAP-Kristalls beträgt 795 nm, was sehr gut für das Pumpen von Hochleistungs-AlGaAS-Laserdioden geeignet ist. Und Tm: YAP-Kristallbreite des Absorptionsspitzenwertes als Tm: YAG-Kristalle sind breiter, so dass Tm: YAP-Kristall sogar dann, wenn die Wellenlängenänderung des Fließens der Diode ein ideales Lasermaterial ist.
Die Wellenlänge des vom Tm:YAP-Kristall emittierten Laserlichts hängt von der Kristallrichtung ab. Die gängigsten Schnittrichtungen sind a-Richtung und b-Richtung.
| Tm: YAP-Kristall | "A" Schneiden | "B"-Schnitt |
| Absorptionspeak | 794,8 nm | 793,5 nm |
| Maximaler effektiver Pumpabsorptionskoeffizient (4% Tm) | aa=3,6/cm | aa=3,3/cm |
| Spitzenemissionswellenlänge | 1,98μm | 1,98μm |
Vorteile von Tm:YAP-Kristallen:
1) Ausgezeichnete physikalische und chemische Eigenschaften;
2) 2 m m -Band-Laserausgangswirkungsgrad ist höher als Tm: YAG;
3) Direkter linear polarisierter Lichtausgang;
4) Die Absorptionsbandbreite der LD-Pumpe ist 4 nm breiter als Tm: YAG-Kristall;
5) Das 795-nm-Pumpabsorptionsband ist besser abgestimmt als die üblicherweise verwendete Emissionswellenlänge von AlGaAs-Dioden.
Technischer Index:
Dopingkonzentration | Tm: 0,2~15at% |
Kristallorientierung | [010] oder [100] ( Pnma ), innerhalb von 5° der Abweichung |
Kristallgröße | Durchmesser 2~10mm, Länge 2~100mm Kann nach Kundenwunsch angepasst werden |
Wellenfrontverzerrung | ≤ 0,125 l /25 mm bei 632,8 nm |
Aussterbeverhältnis | ≥ 25dB |
Maßtoleranz | Durchmesser: +0,00/-0,04, Länge ± 0,5 mm |
Zylindrische Bearbeitung | Feinschleifen oder Polieren |
Parallelität der Stirnfläche | 10" |
Rechtwinkligkeit von Stirnfläche und Stangenachse | 5′ |
Ebenheit der Stirnfläche | l/8 bei 632,8 nm |
Oberflächenfinish | 10/5 (MIL-O-13830A) |
Invertiert | 0,15 ± 0,05 mm |
Reflexionsvermögen der Antireflexbeschichtung | ≤ 0,25 % |
Spektrale Eigenschaften:
Optischer Übergang | 3 F 4 ® 3 H 6 |
Absorptionsquerschnitt | 3,7~8,5 x 10 -21 cm 2 |
Fluoreszenzlebensdauer | 4,4 ~ 7,7 ms |
Emissionsquerschnitt | 5~6 x 10 -21 cm 2 |
Emissionswellenlänge | 1,98 m m@a-Achse, 1,94 m m@b-Achse |
Wellenlänge der Diodenpumpe | 794.8nm@a-Achse, 793.5nm@b-Achse |
Physikalische und chemische Eigenschaften :
KLÄFFEN | |
Raumgruppe | D 162h (Pnma) |
Gitter Changshu ( Å ) | a=5.307, b=7.355, c=5.176 |
Schmelzpunkt ( ℃ ) | 185 0 ± 30 |
Wärmeleitfähigkeit (W · cm -1 · K -1 ) | 0,11 |
Wärmeausdehnungskoeffizient (10 -6 · K -1 ) | 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c |
Dichte (g/cm -3 ) | 5,35 |
Brechungsindex | 1,943//a, 1,952//b, 1,929//c @589 nm |
Härte (Mohs) | 8,5-9 |
KLÄFFEN | |
Raumgruppe | D 162h (Pnma) |
Gitterkonstanten ( Å ) | a=5.307, b=7.355, c=5.176 |
Schmelzpunkt ( ℃ ) | 185 0 ± 30 |
Wärmeleitfähigkeit (W · cm -1 · K -1 ) | 0,11 |
Wärmeausdehnung(10 -6 · K -1 ) | 4,3//a, 10,8//b, 9,5//c |
Dichte (g/cm -3 ) | 5,35 |
Brechungsindex | 1,943//a,1,952//b,1,929//c bei 0,589 m |
Härte (Mohs-Skala) | 8,5-9 |
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