Art.-Nr:
GS-L006Zahlung:
L/C、 Western Union、 D/P、 T/TProduktursprung:
Anhui, Chinamaximale Größe:
Dia40mmOrientierung:
<100>、<110>、<111>Paket:
100 clean bag,1000 exactly clean bagProduktdetail
Spezifikation
Prozessablauf
Verpackung
Transport
FAQ
Nd-dotiertes Yttriumvanadat (Nd:YVO4) ist der effizienteste Laserhostkristall für das Diodenpumpen unter den aktuellen kommerziellen Laserkristallen, insbesondere für niedrige bis mittlere Leistungen.
Dopant | 0,1% ~ 3% | Orientierung | A-CUT +/-0.5° |
Größe&Toleranz | B(+/-0.1)*H(+/-0.1)*L(+0.5/-0.1)mm | ||
Oberflächenqualität | 10/5 | Rechtwinkligkeit | ≤5′ |
Parallelität | 10″ | Fase | <0,2 mm x 45° |
Ebenheit | /10@633nm | Chips | <0,1 mm |
TWD | /6@633nm | CA | ≥95 % |
Beschichtungen | C1--- AR@1064(R<0,2%) C2--- AR@1064(R<0,2%)&532(R<0,5%) C3--- AR@1064(R<0,2%)& 808 (R < 0,5 %) C4--- AR@1064(R<0,2%)&532(R<0,5%)&808(R<3%) C5--- HR@1064(R>99,8%)&HT@808( T>95%) C6 --- HR@1064(R>99,8%)&532(R>99,5%)&HT@808(T>95%) | ||
Art.-Nr | Doping | Schnittwinkel | Größe (mm) | Glasur |
NYV-20-331-C6/C2 | 2% | EIN SCHNITT | 3x3x1 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
NYV-10-332-C6/C2 | 1% | EIN SCHNITT | 3x3x2 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
NYV-10-333-C6/C2 | 1% | EIN SCHNITT | 3x3x3 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
NYV-07-333-C6/C2 | 0,7% | EIN SCHNITT | 3x3x3 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
NYV-07-333-C4/C2 | 0,7% | EIN SCHNITT | 3x3x3 | S1:AR@1064&532&808nm S2:AR@1064&532nm |
NYV-07-335-C4/C2 | 0,7% | EIN SCHNITT | 3x3x5 | S1:HR@1064&532&HT@808nm S2:AR@1064&532nm |
NYV-05-335-C5/C1 | 0,5% | EIN SCHNITT | 3x3x5 | S1:HR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-05-3310-C3/C1 | 0,5% | EIN SCHNITT | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-03-3310-C3/C1 | 0,3% | EIN SCHNITT | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-03-3312-C3/C1 | 0,3% | EIN SCHNITT | 3x3x12 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-027-3310-C3/C1 | 0,27 % | EIN SCHNITT | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-027-3312-C3/C1 | 0,27 % | EIN SCHNITT | 3x3x12 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-02-3310-C3/C1 | 0,2% | EIN SCHNITT | 3x3x10 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |
NYV-02-3312-C3/C1 | 0,2% | EIN SCHNITT | 3x3x12 | S1:AR@1064&808nm S2:AR@1064nm |