Hochreines Sputtering-Metall-Target Titan-Ti-Target speziell geformter Anpassungshersteller aus China

Titan-Target-Material, Titan-Symbol Ti, Ordnungszahl 22, Dichte 4,454 g/cm3, physikalische Eigenschaften: Schmelzpunkt 1668°C, Siedepunkt 3262°C, spezifische Wärmekapazität 0,52 (J / (Kg·K), Verdampfungswärme 421 (KJ/Mol), die Schmelzwärme beträgt 15,45 (KJ/Mol) und die Leitfähigkeit beträgt 0,0234 (106/cm) Da die Kosten für hochreines Titan ziemlich teuer sind und das Anwendungsgebiet extrem ist Limited, wird es hauptsächlich als Gettermaterial in Halbleitermaterialien und Ultrahochvakuumgeräten verwendet.

Hochreines Titan hat Gettereigenschaften, insbesondere Wasserstoff, CH4, Co2-Gas, sodass es in Hochvakuum- und Ultrahochvakuumsystemen weit verbreitet verwendet werden kann. Bei Verwendung von hochreinem Titan-Sputtern zur Herstellung von LSI-, VLSI- und ULSI-Leitungsnetzwerken können diese integrierten Teile außergewöhnlich leicht, dünn, klein und dicht in Schaltungen werden. Targets aus hochreinem Titan können auch als Barrieremetallmaterialien verwendet werden. Die folgenden Bilder sind zwei typische mikroskopische metallographische Inspektionsbilder von Titan-Sputtertargets, die durchschnittliche Partikelgröße beträgt weniger als 50 um.

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Wir produzieren hochreine Sputtertargets. Sein wichtigster Vorteil besteht darin, dass im Prozess der physikalischen Gasphasenabscheidung ein dünner Film mit hervorragender elektrischer Leitfähigkeit und Partikelminimierung erhalten werden kann. Die folgende Tabelle ist ein Zertifikat für die Zusammensetzungsanalyse von 4N5 hochreinem Titan-Sputtering-Target. Verwendete Analysemethoden: 1. Verwenden Sie GDMS oder ICP-OES, um Metallelemente zu analysieren; 2. Verwenden Sie LECO für die Gaselementanalyse.