Maßgeschneidertes Siliziumkarbid SiC-Einkristallsubstrat 4H-N Hersteller aus China

Ein SiC-Einkristall hat viele ausgezeichnete Eigenschaften, wie eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe Sättigungselektronenmobilität und eine starke Beständigkeit gegen Spannungsdurchschlag.Es eignet sich zur Vorbereitung von Hochfrequenz-, Hochleistungs-, Hochtemperatur- und strahlungsbeständigen elektronischen Geräten.

Hauptleistungsparameter
Wachstumsmethode	Samensublimationsverfahren, PVT (Physical Vapor Transport)
Kristallstruktur	Sechs Parteien
Gitterkonstante	a = 3.08 Ã… c = 15.08 Ã…
Dichte	3.21 g/cm3
Richtung	Wachstumsachse oder Abweichung <0001> 3.5 º
Bandlücke	3.26 eV (indirekt)
Härte	9.2 (mohs)
Wärmeleitfähigkeit@300K	5 W/cm.k
Dielektrizitätskonstante	und (11) = und (22) = 9.66 und (33) = 10.33
Größe	10x3, 10x5, 10x10, 15x15,, 20x15, 20x20,
	Dia2",Di3",Dia4"
Dicke	0,35 mm,
Polieren	Einseitig oder doppelseitig
Kristallorientierung	<0001> ±0.5º
Genauigkeit der Kristallebenenausrichtung:	±0.5°
Genauigkeit der Kantenausrichtung:	2°(Besondere Anforderungen können innerhalb von 1° erreicht werden)
Bevel-Wafer	Je nach Anforderung können Wafer mit kantenorientierten Kristallebenen, die unter einem bestimmten Winkel (Inklinationswinkel 1°-45°) geneigt sind, bearbeitet werden
Ra:	≤5Ã (5µm×5µm)
Paket	Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 Super-Reinraum