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Custom Made Sapphire Al2O3 Einkristallsubstrat

Sapphire substrate
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Custom Made Sapphire Al2O3 Einkristallsubstrat

Saphirsubstrat ist die beliebten Substrate für III-V Nitride, Supraleiter und magnetischer EPI-Film aufgrund weniger falsch Gitter- und stabile chemische und physikalische Eigenschaften

  • Art.-Nr:

    GS-C010

  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Produktursprung:

    Anhui, China

  • maximale Größe:

    Dia300mm

  • Orientierung:

    <001>、<1-110>、<11-20>

  • Paket:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
Anfrage jetzt

  • Produktdetail

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

Features:

  • Saphirsubstrat ist die beliebten Substrate für III-V Nitride, Supraleiter und magnetischer EPI-Film aufgrund weniger falsch Gitter und stabile chemische und physikalische Eigenschaften.
  • Orientierung Toleranz: + / -0,5 DEG. c Flugzeugorientierung.
  • poliert Oberfläche: Substratoberfläche ist Epi poliert Via ein spezielles cmp Verfahren mit ra < 5 A.
  • 1 seitlich poliert
  • Paket: Jeder Wafer ist in 1000 Klassenreinigungsraum mit 100 Grad-Plastiktüte mit Waferbehälter verpackt
  • Vorsichtsmaßnahme: R Flugzeug Saphirwafer ist im Vergleich zu C -Elben leicht zu spalten. Bitte umgehen Sie es mit einer Pflege

Typisch Eigenschaften:

  • Kristall Struktur: Hexagonal. A = 4,758 Angström C = 12.99 Angström
  • Schmelzen Punkt: 2040 Grad C.
  • Dichte: 3.97 Gramm / cm2
  • Wachstum Technik: Cz
  • Kristall Reinheit: > 99,99%
  • Härte: 9 ( MOHS)
  • Thermo Erweiterung: 7.5x10-6 ( / OC)
  • Thermische Leitfähigkeit: 46.06 @ 0 oc, 25.12 @ 100 oc, 12.56 @ 400 oc ( W / (M.K) )
  • Dielektrisch Konstante: ~ 9.4 @ 300k bei einer Achse ~ 11.58 @ 300K bei c achse.
  • Verlust Tangent bei 10 GHz: < 2x10-5 bei einer Achse <5 x10-5 bei c achse

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