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Semiconductor crystal

Maßgeschneiderter Hersteller von Germanium Ge-Einkristallsubstraten aus China

Ge CRYSTAL
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Maßgeschneiderter Hersteller von Germanium Ge-Einkristallsubstraten aus China

Kann nach Kundenwunsch, spezieller Ausrichtung und Größe des Substrats angepasst werden

  • Art.-Nr:

    GS-C028

  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Produktursprung:

    Anhui, China

  • maximale Größe:

    Dia100mm

  • Orientierung:

    <100>、<110>、<111>

  • Paket:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
Anfrage jetzt

  • Produktdetail

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ


Verwendet: Herstellung von Halbleitervorrichtungen, optischen Infrarotvorrichtungen und Solarzellensubstraten und anderen Materialien.
Hauptleistungsparameter
Wachstumsmethode
Tirafa
Kristallstruktur
Würfel
Gitterkonstante
a = 5.65754 Ã…
Dichte
5.323g/cm3
Schmelzpunkt
937.4°C
Verfälschungsmittel
Nicht verfälscht
Sb dotiert
Eindotiert oder Ga
Typ
/
N
P
Widerstand
μž35Ωcm
0.05Ωcm
0.05~0.1Ωcm
EPD
ïμœ4×103∕cm2
ïμœ4×103∕cm2
ïμœ4×103∕cm2
Größe
10x3, 10x5, 10x10, 15x15,, 20x15, 20x20,
dia2” x 0,33 mm dia2” x 0,43 mm 15 x 15 mm
Dicke
0,5 mm, 1,0 mm
Polieren
Einseitig oder doppelseitig
Kristallorientierung
<100>, <110>, <111>, ±0.5º
Genauigkeit der Kristallebenenausrichtung:
±0.5°
Genauigkeit der Kantenausrichtung:
2°(Besondere Anforderungen können innerhalb von 1° erreicht werden)
Bevel-Wafer
Je nach Anforderung können Wafer mit kantenorientierten Kristallebenen, die unter einem bestimmten Winkel (Inklinationswinkel 1°-45°) geneigt sind, bearbeitet werden
Ra:
≤5Ã (5µm×5µm)
Paket
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 Super-Reinraum


Q:Sind Sie Handelsunternehmen oder Hersteller?
Wir sind Fabrik.
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In der Regel dauert es 3-5 Tage, wenn die Ware auf Lager ist.
oder es ist 7-10 Tage, wenn die Ware nicht auf Lager ist, es ist nach Menge.
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