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Semiconductor crystal

Maßgeschneiderter Hersteller von Galliumarsenid GaAs-Einkristallsubstraten aus China

GaAs CRYSTAL
GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL GaAs CRYSTAL

Maßgeschneiderter Hersteller von Galliumarsenid GaAs-Einkristallsubstraten aus China

Kann nach Kundenwunsch, spezieller Ausrichtung und Größe des Substrats angepasst werden

  • Art.-Nr:

    GS-C027

  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T

  • Produktursprung:

    Anhui, China

  • maximale Größe:

    Dia100mm

  • Orientierung:

    <100>、<110>、<111>

  • Paket:

    100 clean bag，1000 exactly clean bag
Anfrage jetzt

  • Produktdetail

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

Hauptleistungsparameter

Kristalle
Struktur
Kristallorientierung
Schmelzpunkt
o C
Dichte
g/cm3
Verbotene Bandbreite
GaAs
Würfel
a=5.653 A
<100>
1238
5.31
1.424

Einkristall

Doping

Leitfähigkeitstyp

Trägerkonzentration cm-3

Versetzungsdichte cm -2

Wachstumsmethode

Standardsubstrat ( mm )

GaAs

Si

undotiert

N

> 5×10 17

< 5×10 5

VGF

VB

Tag 2″×0.35mm

Durchmesser3 "x0,35 mm

Dia100×0.65 mm

Kristallorientierung

(100) 0°Â±0.5°,<111>


(100) 2°Â±0.5°off in Richtung <111>A


(100)15°Â±0.5°off in Richtung <111>A

Größe (mm)

0 × 25 × 25..3 5mm, 10 × 10 × 0..3 5mm,.5 × 10 × 0..3 5mm,.5.5 × × 0..3 5 mm

Kann nach Kundenwunsch, spezieller Ausrichtung und Größe des Substrats angepasst werden

Oberflächenrauheit

Oberflächenrauheit (Ra):<=5A Atomic Particle Mikroskop (AFM) Testbericht kann zur Verfügung gestellt werden

Polieren

Einseitig oder doppelseitig

Paket

Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 Super-Reinraum

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