Maßgeschneiderter Hersteller von Gallium-Antimonid-GaSb-Einkristallsubstraten aus China

GaSb-Einkristallsubstrat
GaSb-Einkristalle stimmen mit den Gitterkonstanten verschiedener ternärer und quaternärer III-V-Verbindungsmischkristalle mit Banden im Bereich von 0,8 bis 4 überein.3 µm breiter Spektralbereich aufgrund seiner Gitterkonstante, da GaSb als Substratmaterial verwendet werden kann Wird zur Herstellung von Lasern und Detektoren verwendet, die für bestimmte Infrarot-Lichtwellenleiterübertragungen geeignet sind, wird GaSb auch eine gitterbegrenzte Mobilität vorhergesagt, die größer als die von GaAs ist eine potenzielle Anwendungsperspektive bei der Herstellung von Mikrowellengeräten.Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden von GaS-Einkristallmaterialien gehören die traditionelle flüssigkeitsversiegelte Czochralski-Technologie (LEC), die verbesserte LEC-Technologie, das bewegte Heizverfahren / die vertikale Gradientenerstarrungstechnologie (VGF) / die vertikale Bridgman

Kristalle	Struktur	Kristallorientierung	Schmelzpunkt o C	Dichte g/cm3	Verbotene Bandbreite
Gasb	Kubisch a=6.094A	<100>	712	5.53	0.67

Hauptleistungsparameter
Einkristall	Doping	Leitfähigkeitstyp		Trägerkonzentration cm -3	Mobilität (cm 2 /Vs)	Versetzungsdichte (cm -2 )	Standardsubstrat
Gasb	Intrinsisch	P		(1-2)*10 17	600-700	【 Š1 * 10 4	Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm
Gasb	Zn	P		(5-100)*10 17	200-500	【 Š1 * 10 4	Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm
Gasb	Te	N		(1-20) ´ 10 17	2000-3500	【 Š1 * 10 4	Φ2″×0.5 mm Φ3″×0.5 mm
Größe (mm)			Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10@6°6@0.5 mm können je nach Kundenwunsch, spezieller Ausrichtung und Größe des Substrats angepasst werden
Oberflächenrauheit			Oberflächenrauheit (Ra):<=5A Testbericht für Atompartikelmikroskopie (AFM) kann bereitgestellt werden
Polieren			Einseitig oder doppelseitig
Verpackung			Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 Super-Reinraum