Maßgeschneiderter Hersteller von Gallium-Antimonid-GaSb-Einkristallsubstraten aus China

GaSb kann als Substratmaterial verwendet werden, um Laser und Detektoren vorzubereiten, die für eine gewisse Infrarot-Faserübertragung geeignet sind.
  • Art.-Nr:

    GS-C025
  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Produktursprung:

    Anhui, China
  • maximale Größe:

    Dia100mm
  • Orientierung:

    <100>、<110>、<111>
  • Paket:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Produktdetail

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

GaSb-Einkristallsubstrat
GaSb-Einkristalle stimmen mit den Gitterkonstanten verschiedener ternärer und quaternärer III-V-Verbindungsmischkristalle mit Banden im Bereich von 0,8 bis 4 überein.3 µm breiter Spektralbereich aufgrund seiner Gitterkonstante, da GaSb als Substratmaterial verwendet werden kann Wird zur Herstellung von Lasern und Detektoren verwendet, die für bestimmte Infrarot-Lichtwellenleiterübertragungen geeignet sind, wird GaSb auch eine gitterbegrenzte Mobilität vorhergesagt, die größer als die von GaAs ist eine potenzielle Anwendungsperspektive bei der Herstellung von Mikrowellengeräten.Zu den wichtigsten Wachstumsmethoden von GaS-Einkristallmaterialien gehören die traditionelle flüssigkeitsversiegelte Czochralski-Technologie (LEC), die verbesserte LEC-Technologie, das bewegte Heizverfahren / die vertikale Gradientenerstarrungstechnologie (VGF) / die vertikale Bridgman

Kristalle
Struktur
Kristallorientierung
Schmelzpunkt
o C
Dichte
g/cm3
Verbotene Bandbreite
Gasb
Kubisch
a=6.094A
<100>
712
5.53
0.67


Hauptleistungsparameter
Einkristall
Doping
Leitfähigkeitstyp
Trägerkonzentration
cm -3
Mobilität (cm 2 /Vs)
Versetzungsdichte (cm -2 )
Standardsubstrat
Gasb
Intrinsisch
P
(1-2)*10 17
600-700
【 Š1 * 10 4
Φ2″×0.5 mm
Φ3″×0.5 mm
Gasb
Zn
P
(5-100)*10 17
200-500
【 Š1 * 10 4
Φ2″×0.5 mm
Φ3″×0.5 mm
Gasb
Te
N
(1-20) ´ 10 17
2000-3500
【 Š1 * 10 4
Φ2″×0.5 mm
Φ3″×0.5 mm
Größe (mm)
Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10@6°6@0.5 mm können je nach Kundenwunsch, spezieller Ausrichtung und Größe des Substrats angepasst werden
Oberflächenrauheit
Oberflächenrauheit (Ra):<=5A
Testbericht für Atompartikelmikroskopie (AFM) kann bereitgestellt werden
Polieren
Einseitig oder doppelseitig
Verpackung
Klasse 100 saubere Tasche, Klasse 1000 Super-Reinraum



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