2 " Zoll Galliumnitrid Gan Einkristallsubstrat

Das Substrat von HVPE ist: Homoepitaxy, Gan auf Gan
Homogenität: Hohe Qualität, hohe Kosten, schwierige Technologie (Luxation 103-106 / cm2)
  • Art.-Nr:

    GS-C012
  • Zahlung:

    L/C、 Western Union、 D/P、 T/T
  • Produktursprung:

    Anhui, China
  • maximale Größe:

    Dia100mm
  • Orientierung:

    <0001>、<10-10>
  • Paket:

    100 clean bag,1000 exactly clean bag
  • Produktdetail

  • Spezifikation

  • Prozessablauf

  • Verpackung

  • Transport

  • FAQ

2 Zoll freistehend Gan Wafer-Spezifikation.


Artikel

Spezifikation

Kristallespezifikation

Produktion (PGRADE)

Forschung (RGRADE)

Dummy (Dgrade)

CRINYTYPE

SingleCrystal

Orientierung

(0 0 0 1) Gaface

C-Flugzeug Off-Winkel Inmom-Achse

0,5 ° ± 0,15 °

C-Flugzeug Abwinkel in Richtung in Richtung in Richtung

0 ° ± 0,15 °

(002) fwhm

< 100 ARCSEC.

(102) FWHM

< 100 ARCSEC.

Latticeradiusofkurvatur

> 10 m (gemessen bei 80% xdiameter)




Elektrische spezifikation

Dopingelemente

Raumtemperatur Widerstand (300K)

N-Typ (Silizium)

≤0.02Ohm-cm

UID

≤0,2 ohm-cm

Semi-isolierend (kohlenstoff)

> 1E8Ohm-cm

Shapespecification

Wichtige Flatoriatation

M-Flugzeug (10-10), ± 2 ° (st), ± 2 ° (

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